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  • 型号: IPB042N10N3 G
  • 制造商: Infineon
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IPB042N10N3 G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPB042N10N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB042N10N3 G价格参考¥8.49-¥8.49以及InfineonIPB042N10N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB042N10N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPB042N10N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

100 A

Id-连续漏极电流

100 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB042N10N3 GOptiMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586

产品型号

IPB042N10N3 G

Pd-PowerDissipation

214 W

Pd-功率耗散

214 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

上升时间

59 ns

下降时间

14 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 150µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8410pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

117nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.2 毫欧 @ 50A,10V

产品种类

MOSFETs

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

IPB042N10N3 GCT

典型关闭延迟时间

48 ns

功率-最大值

214W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

OptiMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.2 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

100 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

系列

IPB042N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

IPB042N10N3GATMA1 SP000446880

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