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IPB042N10N3 G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB042N10N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IPB042N10N3 G价格参考¥8.49-¥8.49以及InfineonIPB042N10N3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IPB042N10N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有IPB042N10N3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
Id-连续漏极电流 | 100 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB042N10N3 GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP045N10N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1e8b0cc31586 |
产品型号 | IPB042N10N3 G |
Pd-PowerDissipation | 214 W |
Pd-功率耗散 | 214 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
上升时间 | 59 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8410pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.2 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFETs |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
其它名称 | IPB042N10N3 GCT |
典型关闭延迟时间 | 48 ns |
功率-最大值 | 214W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4.2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 100 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
系列 | IPB042N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | IPB042N10N3GATMA1 SP000446880 |